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碳化硅晶体工艺设备

碳化硅晶体工艺设备

国内碳化硅（SiC）长晶炉供应商10强艾邦半导体网

2 天之前目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型，一是专业晶体生长设备供应商，二是碳化硅衬底厂商（采用自研/自产设备的模式），在两者共同推动下，基本实现 2024年3月12日公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份

公司简介碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体

苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司自2014年开始研发电阻法碳化硅生长设碳化硅作为全球先进的第三代半导体材料，具有高热导率、高击穿电场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等特性，碳化硅功率器件在耐高压、高频、高温以及大功率应用中具有显 8英寸碳化硅设备碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶

重磅丨晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备

2023年2月4日在新品发布环节，晶盛机电外延设备研究所所长刘毅博士对“6英寸双片式碳化硅外延设备”的核心设计理念、工艺性能等进行了详细介绍，该产品历时两年的研发、测 2024年3月22日 “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟稳定的工艺设备，进一步帮助合作伙德国PVA TePla集团展示"中国版“”碳化硅晶体生长设备“SiCN”

LPE（液相法）长晶炉丰港化学晶体生长设备业务

LPE（液相法）生长碳化硅具有晶体缺陷少、生长效率高、生长温度低、节能、降低电耗等优点，可生长p型碳化硅晶体。产品特点设备用途：本设备要求采用感应加热方式，在惰性气体（氩气）环境下将石墨坩埚中的碳化硅粉末升华，沉积到碳化硅单晶仔晶上，即物理气相沉积法（PVT法）生长6″碳化硅单晶。碳化硅晶体生长炉中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司

中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小

2023年7月7日 6月26日晚，我们特别邀请了优晶光电研发负责人陈建明博士做客小饭局，以“第三代半导体东风在即，电阻法能否突破8英寸SiC量产难题？”为主题，与大家共同探讨电阻法碳化硅晶体制备与关键技术。小饭桌就部分精彩内容做了不修改原意的整理，以飨读者:2022年3月2日新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC 功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC 转换器、电机驱动器和车载充电器 (OBC)等核心电控领域，以完成较 Si 更高效的电能转换。预计碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，

详解碳化硅PVT长晶工艺

2023年11月10日详解碳化硅PVT长晶工艺一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点： 1、籽晶极性及晶型种类的选择。研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4HSiC晶型，而Si面则用于制备6HSiC晶型，且与籽晶晶 2023年6月30日芯片是怎么来的，离不开晶体生长设备随着新能源汽车、光伏、轨道交通、工控、射频通信等领域市场的快速发展，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体可以满足上述应用领域高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，行业开始步芯片是怎么来的，离不开晶体生长设备

碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份

2024年3月12日苏州优晶半导体科技股份有限公司苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电 2024年7月5日 VERIC A6151A SiC HighTemp Anneal Furnace VERIC A6151A SiC高温退火炉具有无金属、长寿命的加热系统及特殊设计的高可靠工艺腔室，具备在氩气、氮气和氢气等气体氛围下的高温退火工艺，温度可达2000℃。主要应用SiC高温离子注入后的高温激活退火，刻蚀后的沟槽平滑等，还可用于GaN晶圆中的掺杂活化及AlN晶体 SiC高温退火炉产品管理北方华创

8英寸碳化硅设备碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶

SiC晶体生长技术在晶体生长过程中，通过精准控制热场温度和气氛来保证晶体生长的可靠性和稳定性。采用UKING电阻法碳化硅晶体生长设备生长的SiC晶体，其微管密度、位错密度和电阻率等指标均达到行业标准。电阻加热8英寸PVT碳化硅晶体生长设备采用电阻加热可以避免感应加热的集肤效应，实现碳化硅生长表面更加均匀的温度场，提高SiC大晶体的质量，并且电阻加热在温度控制上更加有效、准确。炉间温度变化较小，产量更稳定。丰港化学晶体生长设备业务

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关2024年3月14日北方华创：成立于2001年9月，业务为电子工艺装备和电子元器件，是国内主流高端电子工艺装备供应商。电子工艺装备主要包括半导体装备、真空装备和新能源锂电设备，电子元器件主要包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。图：北方华创主要产品及应用领域，来自北方华创图北方华创：刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心

化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展

2022年8月11日摘要大功率电子器件的理想电子材料, 近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断, 碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从 024 碳化硅晶体生长炉中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热系统、自动控制系统等组成。要求设备结构设计稳定，运行平稳，且有碳化硅晶体生长炉中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司

碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度

2024年6月5日 SICD200是优睿谱基于线扫描光学检测解决方案用于碳化硅晶圆的位错、微管检测设备，采用高速扫描成像技术，这种技术可以在几内扫描整片晶体，并对所有缺陷进行分类，现在这款设备已在国际中获得诸多认可。2023年9月26日因为特气纯度高、杂质含量低，因此 HTCVD 法能够制备高纯度、高质量的半绝缘碳化硅晶体;其原料可持续添加、参数可调整，具有产品多样性等优势。但由于设备昂贵、高纯气体价格不菲，该方法商业化慢于 PVT 法。PVT、HTCVD及LPE碳化硅长晶工艺

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Explore the development history of SiC crystal growth technology, including PVT, LPE, and HTCVD methods, since its discovery in 18852023年11月30日虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇艾邦

丰港化学晶体生长设备业务

电阻加热8英寸PVT碳化硅晶体生长设备采用电阻加热可以避免感应加热的集肤效应，实现碳化硅生长表面更加均匀的温度场，提高SiC大晶体的质量，并且电阻加热在温度控制上更加有效、准确。炉间温度变化较小，产量更稳定。2 天之前此外，碳化硅还存在较大的应力，会导致面型参数出现问题。化合物晶圆衬底片和外延片中的内应力会在后续工艺中导致晶圆翘曲和破裂，同时内应力大小分布也能直观反映晶圆位错缺陷程度。 SiC晶圆内应力分布实测案例碳化硅晶圆应力检测设备介绍艾邦半导体网

碳化硅晶体电化学机械抛光工艺研究

2022年3月28日摘要: 针对碳化硅晶体抛光效率低的问题，研究碳化硅晶体的电化学机械抛光工艺，对比NaOH、NaNO 3 、H 3 PO 4 3种电解液电化学氧化碳化硅晶体的效果。选用06 mol/L的NaNO 3 作为电化学机械抛光过程的电解液，使用金刚石–氧化铝混合磨粒，通过正交试验研究载荷 2023年7月7日 6月26日晚，我们特别邀请了优晶光电研发负责人陈建明博士做客小饭局，以“第三代半导体东风在即，电阻法能否突破8英寸SiC量产难题？”为主题，与大家共同探讨电阻法碳化硅晶体制备与关键技术。小饭桌就部分精彩内容做了不修改原意的整理，以飨读者:中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，

2022年3月2日新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC 功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC 转换器、电机驱动器和车载充电器 (OBC)等核心电控领域，以完成较 Si 更高效的电能转换。预计 2023年11月10日详解碳化硅PVT长晶工艺一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点： 1、籽晶极性及晶型种类的选择。研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4HSiC晶型，而Si面则用于制备6HSiC晶型，且与籽晶晶详解碳化硅PVT长晶工艺

芯片是怎么来的，离不开晶体生长设备

2023年6月30日芯片是怎么来的，离不开晶体生长设备随着新能源汽车、光伏、轨道交通、工控、射频通信等领域市场的快速发展，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体可以满足上述应用领域高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，行业开始步 2024年3月12日苏州优晶半导体科技股份有限公司苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份

SiC高温退火炉产品管理北方华创

2024年7月5日 VERIC A6151A SiC HighTemp Anneal Furnace VERIC A6151A SiC高温退火炉具有无金属、长寿命的加热系统及特殊设计的高可靠工艺腔室，具备在氩气、氮气和氢气等气体氛围下的高温退火工艺，温度可达2000℃。主要应用SiC高温离子注入后的高温激活退火，刻蚀后的沟槽平滑等，还可用于GaN晶圆中的掺杂活化及AlN晶体 SiC晶体生长技术在晶体生长过程中，通过精准控制热场温度和气氛来保证晶体生长的可靠性和稳定性。采用UKING电阻法碳化硅晶体生长设备生长的SiC晶体，其微管密度、位错密度和电阻率等指标均达到行业标准。8英寸碳化硅设备碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶

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电阻加热8英寸PVT碳化硅晶体生长设备采用电阻加热可以避免感应加热的集肤效应，实现碳化硅生长表面更加均匀的温度场，提高SiC大晶体的质量，并且电阻加热在温度控制上更加有效、准确。炉间温度变化较小，产量更稳定。2023年9月27日作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关